СПЭК
Дифференциальные генераторы
Эти устройства предлагают настраиваемые функции, недоступные для кварца, и разработаны для более высокой надежности, более короткого времени выполнения и решения уникальных временных проблем, таких как электромагнитные помехи.
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT9120 | 31 частота | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPEC LLVDS | 2.5 3.3 2.25 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9120 |
| SiT9121 | 1 – 220 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9121 |
| SiT9122 | 220 – 625 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 3.3 2.25 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9122 |
| SiT9365 | 32 частоты | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9365 |
| SiT9366 | 1 – 220 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9366 |
| SiT9367 | 220 – 725 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVD SHCSL | 2.5 2.8 3 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT9367 |
| SiT9371 | 100 МГц | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL HCSL малой мощности | 1.8 2.5 3.3 1.71 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9371 |
| SiT9375 | 31 частота | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL HCSL малой мощности | 1.8 2.5 3.3 1.71 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9375 |
| SiT9501 | 14 частот | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL HCSL малой мощности | 1.8 2.5 3.3 1.71 – 3.63 | -20 до +70 -40 до +85 -40 до +105 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9501 |
Генераторы LVCMOS
Эти устройства обеспечивают меньший размер и более низкое энергопотребление.
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT1602 | 52 частоты | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT1602 |
| SiT2001 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2001 |
| SiT2002 | 115 – 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2002 |
| SiT8008 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8008 |
| SiT8009 | 115 – 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.0x1.6 2,5x2,0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8009 |
| SiT8208 | 1 – 80 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8208 |
| SiT8209 | 80 – 220 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8209 |
Автомобильные и высокотемпературные генераторы
Обеспечивают стабильность частоты ±20 ppm от -55 °C до 125 °C. Они в два раза стабильнее, в 20 раз надежнее и в 30 раз устойчивее к ударам и вибрации по сравнению с кварцевыми..
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT1618 | 33 частоты | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2,5x2,0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT1618 |
| SiT1625 | 44 частоты | ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.5-3.63 | -40 до +105 -40 до +125 | 1,6x1,2 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT1625 |
| SiT2018 | 1 – 110 МГц | ±10 ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до 105 -40 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2018 |
| SiT2019 | 115 - 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +105 -40 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2019 |
| SiT2020 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -55 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2020 |
| SiT2021 | 119 – 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -55 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2021 |
| SiT2024 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +125 -55 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2024 |
| SiT2025 | 115 - 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +125 -55 до +125 | СОТ23 (2.9x2.8) | SiT2025 |
| SiT8918 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8918 |
| SiT8919 | 115 – 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8919 |
| SiT8920 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -55 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8920 |
| SiT8921 | 119 – 137 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -55 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8921 |
| SiT8924 | 1 – 110 МГц | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +125 -55 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8924 |
| SiT8925 | 115 - 137 МГц | ±20 ±25 ±30 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +125 -55 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT8925 |
| SiT9025 | 1 – 150 МГц | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 2.5 – 3.3 | -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9025 |
| SiT9386 | 1 – 220 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -40 до +85 -40 до +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 | SiT9386 |
| SiT9387 | 220-725 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -40 до +85 -40 до +105 | 3.2x2.5 7.0x5.0 | SiT9387 |
| SiT9396 | 1 – 220 МГц | ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL HCSL малой мощности | 1.8 2.25 – 3.63 | -40 до +85 -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9396 |
| SiT9397 | 220-920 МГц | ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL HCSL малой мощности | 1.8 2.25 – 3.63 | -40 до +85 -40 до +105 -40 до +125 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9397 |
Генераторы, управляемые напряжением VCXO
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT3372 | 1 – 220 МГц | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3372 |
| SiT3373 | 220 – 725 МГц | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +105 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3373 |
| SiT3807 | 31 частота | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3807 |
| SiT3808 | 1 – 80 МГц | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3808 |
| SiT3809 | 80 – 220 МГц | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3809 |
Генераторы I2C/SPI
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT3521 | 1 – 340 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +105 | 5.0x3.2 (10 контакт) | SiT3521 |
| SiT3522 | 340 – 725 МГц | ±15 ±25 ±30 ±50 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +105 | 5.0x3.2 (10 контакт) | SiT3522 |
Генераторы с цифровым управлением
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT3901 | 1 – 26 МГц | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 1.5x0.8 | SiT3901 |
| SiT3907 | 1 – 220 МГц | ±10 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3907 |
| SiT3921 | 1 – 220 МГц | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3921 |
| SiT3922 | 220 – 625 МГц | ±10 ±25 ±50 | LVPECL LVDS | 2.5 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 | SiT3922 |
Генераторы с расширенным спектром
| Модель | Частота | Стабильность, ppm | Тип вывода | Напряжение питания, В | Диапазон температур, ° C | Размер | Техническое описание |
| SiT9005 | 1 – 141 МГц | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8 – 3.3 | -20 до +70 -40 до +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 | SiT9005 |
Контакты
Наш адрес:
С-Петербург, Рижская улица, дом 3,
БЦ "Наутилус" офис 225 (2 этаж)